EFEK DAYA PLASMA TERHADAP SIFAT FOTOLUMINESEN FILM TIPIS ZnO DOPING Al

Abstract

Film tipis ZnO doping Al (ZnO:Al) dideposisi pada substrat corning glass menggunakan metode DC magnetron sputtering. Proses deposisi film tipis ZnO:Al dijaga konstan pada tekanan Argon, suhu deposisi, dan waktu deposisi masing-masing 500 mTorr, 400 ℃, dan 2 jam. Selanjutnya, proses deposisi film tipis ZnO:Al menggunakan variasi daya plasma yaitu 33, 43, dan 50 watt. Karakterisasi sifat optik film tipis ZnO:Al menggunakan Photoluminescence spektroskopi. Daya plasma yang berbeda dapat mempengaruhi energi ion dan momentum tumbukannya. Perbedaan daya plasma tersebut memiliki efek terhadap kualitas film tipis yang dihasilkan, dimana peningkatan daya plasma menyebabkan kualitas film tipis yang dihasilkan semakin baik.